在显示技术飞速发展的今天，有机发光二极管（OLED）因其具有柔性可折叠、广色域和轻薄等优势，广泛应用于智能手机、可穿戴设备以及车载显示等多个领域。多重共振热活化延迟荧光（MR-TADF）材料作为第三代OLED发光材料由于具有成本低廉、100%理论内量子效率（IQE）以及高色纯度等优势，自2016年由Hatakeyama教授开发以来便成为前沿热点课题。然而，纯绿光MR-TADF材料在实现高色纯度和长寿命方面仍面临巨大挑战。近日，深圳大学材料学院杨楚罗教授团队针对上述问题，采用氘代策略和叔丁基微调策略相结合的方法，构建了一例氘代三硼MR-TADF材料ω’-DABNA。该材料在OLED器件中实现了半峰宽（FWHM）为25 nm的窄带发射，CIE为(0.16, 0.75)，最大外量子效率（EQE）达34.6%且具有较低的效率滚降，在初始亮度1000 cd/m²条件下，器件寿命(LT80)长达6078小时。相关内容以“Deuterated Multi-Resonance Thermally Activated Delayed Fluorescence Emitters for Pure-Green Organic Light-Emitting Diodes with CIE Coordinates of (0.16, 0.75) and Long Lifetimes”发表于国际权威期刊Angewandte Chemie 。深圳大学材料学院副研究员权茂博士为第一作者，朱泽林博士为共同第一作者，杨楚罗教授为通讯作者、缪景生副教授为共同通讯作者，深圳大学为唯一通讯单位。

2016年，Hatakeyama教授团队开创性地提出MR-TADF材料的设计策略，通过在多环芳烃（PAHs）骨架中交替引入电子给体（如氮原子）和电子受体（如硼原子），实现了前线分子轨道（HOMO/LUMO）的原子级空间分离，从而兼具窄带发射（FWHM < 30 nm）和较小的单重态-三重态能隙（ΔEST < 0.3 eV），为高色纯度、高效率OLED材料开辟了新方向。然而，在红、蓝光MR-TADF材料相继取得突破的同时，符合BT.2020标准（CIE 0.170, 0.797）的纯绿光材料仍面临巨大挑战——不仅需要精确调控发射波长，还需同时优化CIE色坐标（尤其CIEy > 0.75），而现有材料的色纯度或效率往往难以兼顾。

此外，MR-TADF材料的器件寿命问题也制约其产业化应用。氘代（Deuteration）作为一种提升材料稳定性的有效策略，通过降低分子振动零点能（ZPE）和增强化学键强度（C-D键能比C-H键高~0.1 eV），已在磷光材料和传统TADF材料中展现出显著效果。2022年，韩国LG display公司开发了OLED.EX技术，其亮点之一是采用了氘代材料，使得显示器的亮度提高了30%，并且具有更好的稳定性。然而，到目前为止，氘代(MR)-TADF材料仅有少数报道，并且仅限于单硼和双硼材料。高阶硼氮MR-TADF材料的氘代合成面临严峻挑战——常规高温硼化反应（如BBr₃, 200°C）会导致氘-氢交换，使硼化前体的氘代度大幅下降甚至归零。

针对这一难题，该研究创新性地采用低温硼化策略（0°C, BI₃/2,6-二叔丁基吡啶体系），结合叔丁基位置微调的分子设计，成功开发出氘代率为53.3%的三阶硼氮MR-TADF材料（ω’-DABNA-D），其器件性能达到：CIE (0.16, 0.75)，接近BT.2020标准，EQEmax为34.6%（1000 cd/m²下仍保持30.7%）LT80寿命6078小时（Ir(ppy)₃敏化条件下）。这一成果不仅解决了氘代高阶硼氮MR-TADF材料的合成难题，更为高色纯度、广色域以及长寿命纯绿光OLED的产业化提供了关键材料基础。