CPL 发光材料在光信息加密、手性传感和三维显示等领域具有广阔的应用前景，但实现高 CPL 效率和荧光量子产率仍然是一个挑战。文章的主要创新点在于：系统研究了分子结构对 CPL 性能的影响: 通过设计并合成具有不同分子刚性和对称性的手性发光材料，揭示了分子刚性、对称性和手性中心等关键参数对 CPL 性能的内在耦合关系。引入分子内三维互锁结构: 将合适的分子内三维互锁结构引入天然联萘手性骨架，有效实现了 CPL 活性的显著增强 (g_PL 值高达 3.0×10⁻³) 和半峰全宽 (FWHM) 的显著缩小 (低至18 nm)。引入辅助手性中心: 在靠近主手性平面的位置引入辅助手性中心，促进了强手性-手性相互作用，进一步提高了g_PL值，使其提高了50%。该研究为设计和制备高性能 CPL 发光材料提供了新的思路和方法，并有助于推动 CPL 发光材料在光电器件中的应用。

图1. R-BNCz-Ph、R、R-BBNCz-Ph、R、R-BNCz-BN的单晶结构。

图2. R-BNCz-C6、R-BNCz-Ph、R、R-BBNCz-Ph和R、R-BNCz-BN在稀甲苯（1×10⁻⁵M）、(c)瞬态PL中的(a)紫外-可见吸收和(b)荧光光谱。这些手性发射体掺杂在mCBP：DBFPO（1：1）基质中的光谱（插图：相应的稳态荧光光谱），(d) CD，(e)这些对映体在稀释甲苯（1.0×10⁻⁵M）中的CPPL光谱，或(f)掺杂薄膜中的CPPL光谱。

图3. 通过NTO分析，优化后的S₁（浅紫色）和S₀（灰色）之间的结构差异，计算了(a) R-BNCz-C6、(b) R-BNCz-Ph、(c)R、R-BBNCz-Ph和(d)R、R-BNCz-BN的关键激发能级和相关的SOC值。

图4. 计算出的HRFs与S₁-S₀过渡期间的频率的比较（插图：这些分子的主要振动模式），R-BNCz-C6和R-BNCz-Ph的(a)，R，RBBNCz-Ph和R，R-BNCz-BN的(b)。

图5. 计算了涉及S₁/S₀过渡的关键CPPL参数。

图6. (a)的组成材料的器件结构和相关能级的示意图，(b)的这些使用材料的化学结构，(c)的J-V-L曲线，(d)的这些器件的η_EQE与亮度（插图：6V时的EL光谱）。(e)基于Mr型蓝色荧光发射器的OLEDs（EL_peak>为400 nm）的EL性能的多维平行比较（包括CIE_y、FWHM和η_EQE,max）。

期刊：Chemical Science

题目：Enhanced chiroptical activity for narrow deep-blue emission in axial chiral frameworks via threedimensional interlocking

作者：Xuechao Mo, Guohao Chen, Yulan Li, Biao Xiao, Xuefeng Chen, Xiaojun Yin* and Chuluo Yang*

接受日期：First published: 05 October 2024

原文链接：https://doi.org/10.1039/D4SC05056H